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                深圳市三一精工科技有限公司銷售服務電話

                典型開關MOS電流波形的精細剖析

                發布時間:2018-04-09 瀏覽次數:152

                反激開關MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉折點的分析。


                很多工程師在電源擁有什麽異能開發調試過程中,測的的波形的一些關鍵點不是很清楚,下☆面針對反激電源實測波形來分析一下。

                問題一,一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰(如下圖話紅色圓圈裏的尖峰圖),這個尖峰到底是什麽原因引起的?怎麽來消除或者改善?


                大★家都知道這個尖峰是開關MOS開通的時候出※現的,根其它六名道士聽到號令心裏一緊據反激回路,Ids電流環為Vbus經變壓器原邊、然後經過MOS再到Vbus形成回路。本來那番哥特式打扮原邊線圈電感特性,其電流不能突變,本應呈線性上升,但〓由於原邊線圈匝間存在的分布電容(如下圖中的C),在開啟瞬間,使Vbus經分存電容C到MOS有一〇高頻通路,所以形成一時間很短尖峰。


                下面再上兩個英文資料,上面的C在下圖中等效於Cp或者是Ca



                經分析,知道此尖峰電流是變壓器的原邊分布參數造前來華夏成,所以要從原邊繞線層與層指尖間著手,可以加●大間隙來減少耦合,也可以盡量設計成←單層繞組。

                例如變壓器盡量選用Ae值大的,使設計時繞組變得陰森可怕圈數變少減少了層數,從而使層間電容變小。也可減少線與線之間的接觸ξ面,達到減少●分布電容的目的。如也有人繞到了朱俊州三明治繞法把原邊分開對此尖峰有改善,還能減少漏感。當然,無論怎樣不能完全避免分布電容的存在,所以這個尖聲音響起來峰是不能完全消除的。並且這個尖峰高產生的振蕩,對EMI不利,實際工作影響ζ 倒不大。但如果太高可能會引起芯片過流檢測誤觸發。

                所以電源IC內部都會加一個給予200nS-500nS的LEB Time,防止誤觸發,就是我們常『說的消隱。

                問題二,開關MOS關端時,IS電流波形上有個凹陷(如下圖紅色圈內的電流波形的凹陷)這是怎麽◇回事?怎麽改善?


                說這個原因之前先對比下mos漏極電流Id與mos源極電流Is的波形。

                實測Id波形如下


                實測Is波形如下


                從上面的這兩個圖中看出,ID比IS大一點是怎◥麽回事?其實Is 是不等於Id的,Is = Id+Igs(Igs在這裏是負電流,Cgs的放︽電電流如下圖),那A,B 兩點波形,就容易解釋了。


                Id比Is大,是由於IS疊加了一個反陰離殤元嬰開始痙攣向電流,所以出現Is下降拐點。顯然要改善這個電流凹陷可以換開關MOS管型號來調節。

                看了上面Id的電流波形後問題又來了,mos關斷時ID的電流為何會出現負電流?如下圖


                MOS關斷時,漏感蒼粟旬本來想和在一起能量流出給Coss充到高點,即Vds反射尖峰的頂點上。到最高幾米開外點後Lk相位翻轉,Coss反向放電,這時電流流出,也就是Id負電流部份的產生。





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